HGTD1N120BNS9A
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HGTD1N120BNS9A参数：IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.9V@15V，1A
电流-集电极(Ic)（最大值）：5.3A
Current-CollectorPulsed(Icm)：6A
功率-最大值：60W
SwitchingEnergy：70µJ(开),90µJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：14nC
Td(on/off)A25°C：15ns/67ns
TestCondition：960V,1A,82欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252AA