GWM160-0055X1-SL
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GWM160-0055X1-SL参数：IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT

类别：半导体模块-FET
PCNObsolescence： GWM160-0055X120/Nov/2012
标准包装：28
系列：-
包装：管件
FET类型：6N-沟道（3相桥）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：150A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.3毫欧@100A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：105nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：17-SMD，扁平引线
供应商器件封装：SMD