FQU3N50CTU
PDF资料下载

FQU3N50CTU参数：MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
标准包装：70
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5欧姆@1.25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：365pF@25V
功率-最大值：35W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak