FQU2N60CTU
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FQU2N60CTU参数：MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
标准包装：70
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.7欧姆@950mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：235pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak