FQT1N80TF_WS
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FQT1N80TF_WS参数：MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：4,000
系列：QFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：195pF @ 25V
功率 - 最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223-3