FQPF9P25
PDF资料下载

FQPF9P25参数：MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：250V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：620毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1180pF@25V
功率-最大值：50W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220F