FQPF3N80CYDTU
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FQPF3N80CYDTU参数：MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.8欧姆@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：705pF@25V
功率-最大值：39W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220F