FQP5N80
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FQP5N80参数：MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.6欧姆@2.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1250pF@25V
功率-最大值：140W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220