FDU8882
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FDU8882参数：MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,800
系列：PowerTrench®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：55A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1260pF @ 15V
功率 - 最大值：55W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak