FDU8586
PDF资料下载

FDU8586参数：MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
标准包装：75
系列：PowerTrench®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.5毫欧@35A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2480pF@10V
功率-最大值：77W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：TO-251AA