FDU6676AS
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FDU6676AS参数：MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：75
系列：PowerTrench®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：90A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.8 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2470pF @ 15V
功率 - 最大值：1.3W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak