FDT458P
PDF资料下载

FDT458P参数：MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@3.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：205pF@15V
功率-最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223-4