FDS8962C
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FDS8962C参数：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A，5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：575pF@15V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN