FDS8858CZ
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FDS8858CZ参数：MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.6A，7.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：17毫欧@8.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：24nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1205pF@15V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：SO-8