FDS6614A
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FDS6614A参数：MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@9.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1160pF@15V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN