FDS6575
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FDS6575参数：MOSFET P-CH 20V 10A SO-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@10A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：74nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4951pF@10V
功率-最大值：1.2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：SO-8