FDS5170N7
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FDS5170N7参数：MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@10.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：71nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2889pF@30V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盘
供应商器件封装：8-SOIC