FDS4501H
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FDS4501H参数：MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V，20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.3A，5.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@9.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1958pF@10V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN