FDR8508P
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FDR8508P参数：MOSFET P-CH 30V 3A SSOT-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 15V
功率 - 最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SSOT，SuperSOT-8
供应商器件封装：8-SSOT