FDN306P
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FDN306P参数：MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： WireBonding07/Nov/2008 MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@2.6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1138pF@6V
功率-最大值：460mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-SSOT