FDMS8560S参数：MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：PowerTrench®, SyncFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：68nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 13V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：8-PQFN（5X6），Power56
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