FDMC2610
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FDMC2610参数：MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound17/March/2008
标准包装：3,000
系列：UniFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@2.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：960pF@100V
功率-最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-Power33（3x3）