FDI040N06
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FDI040N06参数：MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012
标准包装：50
系列：PowerTrench®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：133nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：8235pF@25V
功率-最大值：231W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK