FDG6318P
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FDG6318P参数：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：780毫欧@500mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.2nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：83pF@10V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6