FDD8444L
PDF资料下载

FDD8444L参数：MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices13/Aug/2010
PCNPackaging： DpakDimension17/Apr/2008
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.2毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5530pF@25V
功率-最大值：153W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak