FDD6N20TM
PDF资料下载

FDD6N20TM参数：MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
标准包装：2,500
系列：UniFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：800毫欧@2.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.1nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：230pF@25V
功率-最大值：40W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak