FDD3510H
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FDD3510H参数：IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.3A，2.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 40V
功率 - 最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装：TO-252-4L