FDD1600N10ALZD
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FDD1600N10ALZD参数：BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5L

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 3.5A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.61nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：225pF @ 50V
功率 - 最大值：14.9W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装：TO-252