FDC855N
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FDC855N参数：MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：27毫欧@6.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：655pF@15V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT