FDB6021P
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FDB6021P参数：MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
标准包装：800
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：28A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@14A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1890pF@10V
功率-最大值：37W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263AB