FCP190N60
PDF资料下载

FCP190N60参数：MOSFET N-CH 600V TO220-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： FCP190N60E/FCP380N60ESuperFET?II
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
标准包装：400
系列：SuperFETII®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：199毫欧@10A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：74nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2950pF@25V
功率-最大值：208W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220