EMH2801-TL-H
PDF资料下载

EMH2801-TL-H参数：MOSFET/SBD P-CH EMH8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：320pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-EMH