DDTD114GC-7-F
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DDTD114GC-7-F参数：TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire11/Nov/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：-
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：56@50mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@2.5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：200MHz
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3