BSO051N03MS G
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BSO051N03MS G参数：MOSFET N-CH 30V 14A DSO-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.1毫欧@18A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4300pF@15V
功率-最大值：1.56W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8