BSM180D12P2C101
PDF资料下载

BSM180D12P2C101参数：SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE

类别：半导体模块-FET
标准包装：1
系列：*
包装：散装
FET 类型：2 个 N 通道（半桥）
FET 功能：碳化硅 (SiC)
漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：180A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23000pF @ 10V
功率 - 最大值：1130W
安装类型：*
封装：模块
供应商器件封装：模块