BSM120D12P2C005参数：SIC PWR MODULE 1200V 120A
类别：半导体�？�-FET标准包装：1系列：*包装：*FET 类型：2 个 N 通道（半桥）FET 功能：碳化硅 (SiC)漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 22mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14000pF @ 10V功率 - 最大值：780W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
