BSH111,215
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BSH111,215参数：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：335mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：40pF @ 10V
功率 - 最大值：830mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236AB