BSD840N H6327
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BSD840N H6327参数：MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：880mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 880mA，2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.26nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6