BSD316SN H6327
PDF资料下载

BSD316SN H6327参数：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：94pF @ 15V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6