BSC900N20NS3 G
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BSC900N20NS3 G参数：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 100V
功率 - 最大值：62.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）