BSC200P03LS G
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BSC200P03LS G参数：MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@12.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2430pF@15V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）