BSB012N03LX3 G
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BSB012N03LX3 G参数：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation12/May/2009
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：39A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2毫欧@30A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：169nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：16900pF@15V
功率-最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装：3-WDSON
供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAKM?