BS108G
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BS108G参数：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：250mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8欧姆@100mA，2.8V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：150pF@25V
功率-最大值：350mW
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体
供应商器件封装：TO-92-3