ALD111933PAL
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ALD111933PAL参数：MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：50
系列：EPAD®
包装：管件
FET 类型：2 N 沟道（双）配对
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.9mA， 3mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：500 欧姆 @ 5.9V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.35V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：通孔
封装：8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：8-PDIP