ALD1101ASAL
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ALD1101ASAL参数：MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：2 N 沟道（双）配对
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：10.6V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：25mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：75 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC