2SK596S-B参数：MOSFET J-FET N-CH 20V 1MA SPA
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：500系列：-包装：散装不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：150µA @ 5V漏源极电压 (Vdss)：-漏极电流 (Id) - 最大值：1mAFET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：400mV @ 1µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4.1pF @ 5V电阻 - RDS（开）：-安装类型：通孔封装：SC-72供应商器件封装：3-SPA功率 - 最大值：100mW
<button id="v2fpy"></button>
