2SK2699(F,T)
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2SK2699(F,T)参数：MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2600pF @ 10V
功率 - 最大值：150W
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P（N）