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2SK2103T100参数：MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：230pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：TO-243AA供应商器件封装：MPT3
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