2SJ656
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2SJ656参数：MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TO-220MLPackageP-Channel&N-ChannelTop
标准包装：100
系列：-
包装：散装
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：75.5毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：74nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4200pF@20V
功率-最大值：2W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220ML