2SJ412(SM,Q)
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2SJ412(SM,Q)参数：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： 2SJ412,2SK2401Bottom 2SJ412Q,2SK2401Front
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：210毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@10V
功率-最大值：60W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-220SM